半導(dǎo)體制造技術(shù)作為信息時(shí)代制造的基礎(chǔ)，堪比工業(yè)時(shí)代的機(jī)床，是整個社會發(fā)展的基石和原動力。在國際產(chǎn)業(yè)分工格局重塑的關(guān)鍵時(shí)期，我國也提出了《ZG制造2025》，以通過智能制造實(shí)現(xiàn)由制造大國向制造強(qiáng)國的轉(zhuǎn)換。智能制造（工業(yè)4.0）的實(shí)現(xiàn)，以各種信息器件的使用為基礎(chǔ)，半導(dǎo)體制造技術(shù)正是其制造的核心技術(shù)。
      而氫氣作為半導(dǎo)體制造中的氣源，在半導(dǎo)體材料及器件制備中起到至關(guān)重要的作用?？稍诠怆娖骷鞲衅?、IC制造中應(yīng)用。
      目前半導(dǎo)體工藝中氫氣主要用于退火、外延生長、干法刻蝕等工藝。
      退火是通過高溫加熱釋放材料內(nèi)部應(yīng)力從而改善材料質(zhì)量的一種材料處理辦法，氫氣作為保護(hù)氣可以起到防止氧化等作用，多用于薄膜生長后釋放應(yīng)力。
      氫氣也可以應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Depositon）薄膜生長?；瘜W(xué)氣相沉積是一種利用固態(tài)-氣態(tài)反應(yīng)、氣態(tài)-氣態(tài)反應(yīng)生成薄膜的設(shè)備，如在CVD工藝中作為還原性氣體制備二維材料MOS2、WS2等；等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝中作為還原性氣體制備石墨烯、單晶硅、碳化硅等；電子回旋共振化學(xué)氣相沉積（ECR-CVD）中作為反應(yīng)氣體在單晶硅襯底上制備金剛石薄膜；金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）設(shè)備中作為載氣制備光電材料GaN、AlGaN等。同時(shí)氫氣也可以在原子層沉積（Atomic Layer Deposition）中使用。
      氫氣在等離子體刻蝕（RIE/ICP）中作為反應(yīng)氣體出現(xiàn)，等離子體刻蝕原理是利用反應(yīng)氣體離化后與材料發(fā)生反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì)，從而實(shí)現(xiàn)材料圖形化，是半導(dǎo)體器件制備的工藝。
      普拉勒氫氣發(fā)生器目前已大量應(yīng)用在以上工藝中，為半導(dǎo)體材料及器件制備提供的氣源。

      普拉勒Zxin打造拳頭產(chǎn)品:大流量高純氫氣發(fā)生器Hydrogen-17L可與普拉勒超純水機(jī)聯(lián)用，由超純水機(jī)制取二級水，并儲存至水箱備用。氫氣發(fā)生器缺水時(shí)，自動供給至氫氣發(fā)生器。多臺氫氣發(fā)生器可串聯(lián)使用，通過串聯(lián)控制線由一臺發(fā)生器控制其他發(fā)生器，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)氣均勻分配。（以兩臺設(shè)備為例控制圖如下）

大流量高純氫氣發(fā)生器Hydrogen-17L主要技術(shù)參數(shù)

◎ 氫氣純度： 99.999-99.9999%

◎ 氫氣流量：1m3 /h

◎ 輸出壓力：0-80psi（約0.5MPa）

◎ 壓力穩(wěn)定性：< 0.001MPa

◎ 供電電源：220V±10% 50HZ

◎ 消耗功率：8kw

◎ 純水需求：＞2MΩ&1L/h

◎ 氫氣容積：＜20L

◎ 環(huán)境溫度：1-40℃

◎ 相對濕度：<85%

◎ 海拔高度：＜2000米

◎ 外形尺寸：80x90x100（WxDxH cm）

◎ 凈重：約200kg

儀器特點(diǎn)

◎ 儀器的全部工作過程均由程序控制，自動恒壓、恒流，通過串聯(lián)控制線，可實(shí)現(xiàn)多組并聯(lián)使用。

◎ 使用固態(tài)電解質(zhì)（PEM）法產(chǎn)生氫氣，以超純凈水原料，以固體聚合物為電解質(zhì)，貴金屬 做電極有效的除濕裝置，降低了原始濕度，純度穩(wěn)定。

◎ 操作方便使用時(shí)只需打開電源開關(guān)即可產(chǎn)氫，使用后無需泄壓，直接關(guān)閉電源即可?？蛇B續(xù)使用，也可間斷使用，產(chǎn)氫量穩(wěn)定不衰減。

◎ 安全可靠：配有安全裝置，電解超純水制氫，無腐蝕、無污染，配有壓力控制，缺水自動監(jiān)控，漏氣自動檢測。

◎ 配備純水系統(tǒng)，完成自來水進(jìn)水完成大流量的氫氣制備

堿液型和純水型氫氣發(fā)生器區(qū)別

氫氣發(fā)生器構(gòu)造有開關(guān)電源、電解池，氣液分離系統(tǒng)、干燥系統(tǒng)，顯示控制系統(tǒng)幾大部分，其中zui核心的是電解池，按電解原理，分為堿液型和純水型兩大類，各有優(yōu)缺點(diǎn)，現(xiàn)簡述如下：　氫氣發(fā)生器是實(shí)驗(yàn)室小型現(xiàn)場制氫設(shè)備，具有制氫快、純度高、價(jià)格低、安裝方便、占用空間小等特點(diǎn)，分析實(shí)驗(yàn)中常用于氣相色譜載氣、FID燃燒氣、催化反應(yīng)等。

一、堿液型氫氣發(fā)生器

是零極距堿液電解池，采用鎳絲網(wǎng)電極和石棉隔膜構(gòu)成，使用時(shí)要一次性加入氫氧化鉀作為電解質(zhì)，增加水的導(dǎo)電性達(dá)到電解目的。這種發(fā)生器的優(yōu)點(diǎn)是價(jià)格相對低，故障率低，缺點(diǎn)是強(qiáng)堿溶液存在潛在危險(xiǎn)，并有隨氣體輸出的風(fēng)險(xiǎn)，并且電解容易產(chǎn)生電解泥，有堵塞液路的可能性，需半年更換一次。

二、純水型氫氣發(fā)生器

是零極距純水電解池，采用SPE固態(tài)電解質(zhì)薄膜作為導(dǎo)電介質(zhì)，貴金屬導(dǎo)流板作為導(dǎo)電部件，使用時(shí)只需加入去離子純水，無高濃度堿液的任何潛在風(fēng)險(xiǎn)，安全可靠。純水型氫氣發(fā)生器的電解池全為板式，其技術(shù)核心有兩個，一是電解膜二是導(dǎo)流板。電解膜為固態(tài)離子膜上加載催化劑，成品膜的導(dǎo)電電流密度和催化劑效率為衡量其質(zhì)量的兩個關(guān)鍵。

首先是價(jià)格上面的對比，純水型價(jià)格會比堿液型的價(jià)格高一些，如果預(yù)算有限，可以選擇堿液型氫氣發(fā)生器，堿液型氫氣發(fā)生器選擇購買的實(shí)驗(yàn)室也多的，優(yōu)勢是價(jià)格便宜。但對比純水型氫氣發(fā)生器來說相對麻煩一點(diǎn)，純水型氫氣發(fā)生器是直接加純水使用，堿液型氫氣發(fā)生器需要?dú)溲趸洠⑶业热芙饫鋮s后使用。這是兩者的差別。Peculiar系列超高純氫氣發(fā)生器可以連續(xù)可靠的產(chǎn)生純度*的氫氣，純度>99.9999%。從而使昂貴且危險(xiǎn)的高壓氫氣鋼瓶*告別實(shí)驗(yàn)室，因更換鋼瓶而中斷重要分析工作的情況將不復(fù)存在。

Peculiar系列可以連續(xù)可靠的產(chǎn)生純度的氫氣，純度>99.9999%。從而使昂貴且危險(xiǎn)的高壓氫氣鋼瓶*告別實(shí)驗(yàn)室，因更換鋼瓶而中斷重要分析工作的情況將不復(fù)存在。
只需去離子水和供電，即可產(chǎn)生氫氣，一次加水即可持續(xù)工作15天，成本極低。氫氣發(fā)生器的安全、簡便性能使其替代了危險(xiǎn)的高壓氫氣鋼瓶。Hydrogen-500H系列氫氣發(fā)生器是GC 或GC/MS 載氣
的*選擇。與氦氣相比，使用氫氣作為載氣能提高分析速度及靈敏度。

主要技術(shù)參數(shù)
◎ 氫氣純度：99.9999%
◎ 氫氣流量：0-500ml/min
◎ 輸出壓力：0-0.5Mpa
◎ 壓力穩(wěn)定性：< 0.0001MPa
◎ 供電電源：220V±10%, 50Hz
◎ 消耗功率：300W
◎ 外型尺寸：420×300×360mm
◎ 凈重：約14Kg
儀器特點(diǎn)
◎ 程序控制：儀器采用單片計(jì)算機(jī)控制，全自動工作，恒壓、恒流，氫氣流量可根據(jù)用量實(shí)現(xiàn)全自動調(diào)節(jié)；
◎ 操作方便：免運(yùn)輸鋼瓶之勞，省搬運(yùn)鋼瓶之苦，使用時(shí)只需打開電源開關(guān)即可產(chǎn)氫?？蛇B續(xù)使用，也可間斷使用，產(chǎn)氫量穩(wěn)定不衰減。不需要干燥劑(如：變色硅膠、分子篩等)，免維護(hù)；
◎ 超高純度：將產(chǎn)生的氫氣通過Peculiar鈀合金膜（技術(shù)）過濾，由于鈀合金具有只允許氫及其同位素通過的特性，因此產(chǎn)生氫氣的純度可確保持續(xù)達(dá)到99.99999%；
◎ 安全可靠：配有水位自動安全裝置，超壓控制安全裝置，由單片機(jī)智能控制，靈敏可靠。